MOSFET di potenza a canale N per applicazioni industriali

Posted By : Enaie Azambuja
MOSFET di potenza a canale N per applicazioni industriali

 

Toshiba Electronics Europe ha iniziato a consegnare due nuove aggiunte da 100V alla propria serie di MOSFET a bassa potenza IX-H U-MOS a canale N. I nuovi dispositivi sono ideali per l’alimentazione degli impianti industriali, nonché per le applicazioni di controllo dei motori.

Fabbricati nell’ultimo processo U-MOS IX-H trench a bassa tensione di Toshiba, che ottimizza la struttura degli elementi, il TPH3R70APL e il TPN1200APL forniscono i valori più bassi di resistenza della propria categoria, rispettivamente pari a 3,7mΩ e a 11,5mΩ.

I dispositivi presentano una carica in uscita bassa (QOSS: 74 / 24nC) e una carica di commutazione di gate ridotta (QSW: 21 / 7,5nC) e permettono di ottenere un livello logico di pilotaggio di 4,5V.

Rispetto agli attuali dispositivi che sono basati sul processo U-MOS VIII-H, i nuovi dispositivi presentano valori inferiori delle principali figure di merito dei MOSFET per applicazioni di commutazione, tra cui RDS (on)Qoss e RDS(on) QSW.

Il TPH3R70APL è alloggiato in un package SOP Advance da 5mm x 6mm e può gestire correnti di drain (ID) fino a 90A, mentre il TPN1200APL è disponibile in un package TSON Advance da 3mm x 3mm e gestisce livelli di ID fino a 40A.

Toshiba Electronics Europe continuerà a espandere il proprio portafoglio di MOSFET in linea con le tendenze del mercato, per continuare a migliorare l'efficienza nell'alimentazione.

Downloads


È necessario aver eseguito l’accesso per commentare

Lascia un commento

Nessun commento




Sign up to view our publications

Sign up

Sign up to view our downloads

Sign up

embedded world 2019
26th February 2019
Germany Nuremberg
Wearable Tech Show 2019
12th March 2019
United Kingdom London
AMPER 2019
19th March 2019
Czech Republic Brno Exhibition Centre
LOPEC 2019
19th March 2019
Germany Messe Munchen
RF & Microwave 2019
20th March 2019
France Paris Expo, Porte de Versailles