Diodi laser a 25 Gbps a modulazione diretta

14th March 2018
Source: Renesas
Posted By : Enaie Azambuja
Diodi laser a 25 Gbps a modulazione diretta

Renesas Electronics ha annunciato la serie RV2X6376A di diodi laser a DML. I diodi DML forniscono 25 Gbps x quattro lunghezze d’onda come sorgente luminosa in ricetrasmettitori ottici a 100 Gbps, che consentono comunicazioni ad alta velocità all’interno di ripetitori LTE da 4,9G e 5G, e tra server e router del data center. Quelli della Serie RV2X6376A sono i primi diodi del settore che supportano la piena velocità di 25 Gbps e la temperatura industriale (da -40°C a 95°C) senza necessità di raffreddamento.

La Serie RV2X6376A è progettata in moduli ricetrasmittenti ottici QSFP28 compatti da 100 Gbps che utilizzano la modulazione NRZ convenzionale. Sono compatibili con lo standard Coarse Wavelenght Division Multiplexing (CWDM4) che specifica quattro canali da 25 Gbps otticamente multiplate su (e demultiplate da) una fibra duplex single mode.

La serie RV2X6376A estende la famiglia di diodi laser, unendosi alla comprovata serie NX6375AA, testata per il funzionamento a temperature commerciali (da -5°C a 75°C) e utilizzata nei data center.

Oltre a fornire la robustezza e l’affidabilità richiesta dai ripetitori, la Serie RV2X6376A offre ai clienti dei data center un’ampia espansione dell’intervallo di temperatura industriale nei casi in cui sia necessario un margine aggiuntivo.

Comunicazioni mobile e IoT sono sistemi pilota di comunicazione ottica ad alta velocità, che stanno vivendo una rapida crescita a causa di un’esplosione di utilizzo dei dati. Il Cisco Visual Networking Index (VNI) prevede che il traffico globale di dati mobile cresca del 44% annuo, così che si passerà da 11000 petabyte/mese nel 2017 a 48000 petabyte/mese nel 2021.

Per soddisfare questa crescita esponenziale, i produttori di ripetitori stanno passando a interim 4,9G e a una tecnologia 5G a throughput più elevato e bassa latenza.

“La Serie RV2X6376A offre ai produttori la soluzione di massima affidabilità per applicazioni in esterni dei ripetitori 4,9G e 5G,” ha dichiarato Diwakar Vishakhadatta, Vicepresidente della sezione High-Speed Optical Communications and Wireless Products presso Renesas Electronics Corporation.

“L’ampia gamma di temperature e la tecnologia DML supportate dai diodi Bare Die consentono ai progettisti di ricetrasmettitori di abbattere sensibilmente i costi di sistema rispetto ai progetti attuali che utilizzano diodi EML.”

Caratteristiche principali della Serie RV2X6376A

• Diodo laser DFB a modulazione diretta di 1,3UM AlGaInAs
• Funzionamento non raffreddato (valori massimi assoluti): Tc=-40℃ - +95℃
• Potenza di uscita: Po=7mW @ 25℃
• SMSR: 35dB min
• Corrente operativa del laser: 55mA max
• Voltaggio inverso del laser: 2.6 V max
• Elevata affidabilità: MTTF di 100'000 ore (Nota: MTTF non garantito)


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