Diodi TVS proteggono le interfacce dei dispositivi mobili

Posted By : Enaie Azambuja
Diodi TVS proteggono le interfacce dei dispositivi mobili

Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di nuovi diodi TVS multi-bit a bassa capacità che proteggono le interfacce ad alta velocità dalle scariche elettrostatiche (EDS) e dalle sovratensioni. La nuova linea di prodotti include quattro prodotti siglati DF5G5M4N, DF5G6M4N, DF6D5M4N e DF6D6M4N. Tutti sono in grado di proteggere diversi tipi di interfacce ad alta velocità fra cui USB di Tipo-C e HDMI.

I dispositivi elettronici come gli smartphone, i dispositivi indossabili, i PC tablet e gli apparecchi industriali e per l'ufficio offrono caratteristiche avanzate ad alte prestazioni e continuano a diventare sempre più piccoli.

Di conseguenza, in tali dispositivi i componenti di base su semiconduttore devono costantemente offrire prestazioni superiori, seguendo al contempo il processo di miniaturizzazione.

Tali dispositivi di base sono quindi sempre più sensibili alle ESD e alle sovratensioni, che rendono la presenza di circuiti di protezione adeguati un requisito vitale. In particolare, per USB di Tipo-C, HDMI e altre interfacce ad alta velocità, sono richiesti prodotti a bassa capacità per evitare la distorsione dei segnali trasmessi.

I nuovi diodi TVS offrono una migliore protezione, con una resistenza dinamica inferiore e una tensione di limitazione più bassa. Essi sono alloggiati in package LGA di piccole dimensioni (DFN5 [1,3 x 0,8mm] per la versione a 4 bit, DFN6 [1,25 x 1,0mm] per quella a 2 bit) in uno schema a flusso continuo.

La serie di prodotti consente una semplice disposizione su scheda, essendo possibile posizionare il package direttamente sulle linee del bus ad alta velocità. Lo schema a flusso continuo, unitamente alla capacità tipica del diodo di 0,2pF minimizza inoltre la distorsione di segnale delle interfacce ad alta velocità.

I diodi TVS sono fabbricati nel processo proprietario di Toshiba ESD Array Process IV (processo EAP-IV) che presenta una resistenza dinamica più bassa del 20% rispetto agli attuali prodotti DF5G7M2N a 4 bit, migliorando al contempo il grado complessivo di protezione, e aumenta il livello di immunità alle EMI e riduce l'impatto delle sovratensioni sui dispositivi degli stadi finali.

La nuova linea di diodi TVS include prodotti a 4 bit (DF5G5M4N, DF5G6M4N) e a 2 bit (DF6D5M4N, DF6D6M4N) per linee di segnale sia a 3,3V sia a 5,0V, consentendo agli utenti di scegliere il prodotto corrispondente alla tensione di interfaccia del proprio sistema.

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